高频感应大功率静电感应晶体管(SIT)的特点
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发布时间：4小时前
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高频感应大功率静电感应晶体管(SIT)的特点
大功率静电感应晶体管(SIT)是一种专为大功率电力转换和控制设计的器件，其结构与三极管相似，但在功能上有所不同。它具备以下特性:独特的“正导通”模式：当栅压为零时，SIT处于导通状态，负栅压则使其关闭，这提供了精准的控制。高速开关能力：SIT适用于高频操作，其开关速度非常快，适合高频电路设计。
材料电磁参数
材料电磁参数是描述材料在电磁场中响应特性的关键指标，主要包括复介电常数和复磁导率。复介电常数的实部和复磁导率的实部分别代表了材料对电能和磁能的储存能力，而其虚部则反映了电能和磁能的损耗能力。这些参数对于材料在微波、通信、电子等领域的应用至关重要，它们决定了材料在电磁波传播、反射、透射等过程中的行为特性。矢量网络分析 (VNA) 是最重要的射频和微波测量方法之一。 创远信科提供广泛的多功能、高性能网络分析仪（最高40GHz）和标准多端口解决方案。创远信科的矢量网络分析仪非常适用于分析无源及有源器件，比如滤波器、放大器、混频器及多端口模块。 ...
静电感应晶体管简介
SIT的特点在于其多子导电性能，工作频率与电力MOSFET相当，甚至在某些情况下能超越，且在功率容量上更胜一筹，因此特别适合高频大功率应用，比如雷达通信设备、超声波功率放大、脉冲功率放大以及高频感应加热等领域已经得到了广泛应用。然而，SIT存在一些局限性。当栅极不施加任何信号时，它会处于导通状态，只有...
静电感应晶体管优点
静电感应晶体管（SIT）相对于双极型晶体管具有显著的优势。首先，SIT展现出优秀的线性特性，产生的噪声水平较低，这使得用SIT制作的功率放大器在音质和音色方面超越了双极型晶体管，提供了更纯净的音频体验。其次，SIT的输入阻抗高，输出阻抗低，可以直接用于OTL电路设计，简化了电路结构，提高了效率。无基...
静电感应晶体管的优点
和双极型晶体管相比，SIT具有以下的优点：①线性好、噪声小。用SIT制成的功率放大器,在音质、音色等方面均优于双极型晶体管。②输入阻抗高、输出阻抗低，可直接构成OTL电路。③SIT是一种无基区晶体管，没有基区少数载流子存储效应，开关速度快。④它是一种多子器件，在大电流下具有负温度系数，器件本...
静电感应晶体管的简介
静电感应晶体管SIT(Static Induction Transistor)诞生于1970年，实际上是一种结型场效应晶体管。将用于信息处理的小功率SIT器件的横向导电结构改为垂直导电结构，即可制成大功率的SIT器件。SIT是一种多子导电的器件，其工作频率与电力MOSFET相当，甚至超过电力MOSFET，而功率容量也比电力MOSFET大，因而适用于...
静电感应晶体管的结构形式
静电感应晶体管结构形式主要有三种结构形式： 介质覆盖栅结构是中国研制成功的，这种结构既适用于低频大功率器件，也适用于高频和微波功率器件，其特点是工艺难度小、成品率高、成本低、适于大量生产。中国已研制出具有这种结构的 SIT器件有：400兆赫，1～40瓦；1000兆赫,1～12瓦及1500兆赫，6瓦的SIT器件...
静电感应晶体管详细说明
静电感应晶体管，简称SIT，是一种特殊的垂直沟道场效应晶体管，其电流-电压特性源漏电流受栅极上的外加垂直电场控制。这种新型器件在多个领域展现出卓越性能。自1952年日本渡边和西泽提出的模拟晶体管模型后，1971年9月西泽润一的研究成果进一步推动了SIT的发展。70年代中期，作为音频功率放大器件，SIT在日本...
静电感应晶体管结构形式
静电感应晶体管的结构形式有多种，主要包括以下三种:首先，埋栅结构是其中的一种典型设计（见图2），它特别适合于低频和大功率应用。这种结构的功率静电感应晶体管通常用符号来表示其工作原理。其次，表面电极结构则适用于高频和微波功率的静电感应晶体管（SIT）。这种设计对于高频操作具有良好的性能，对于...
静电感应晶体管发展历史
静电感应晶体管（SIT）的发展历程始于1970年，日本的西泽润一和渡边提出了其基本结构。首次报道的SIT是由西泽润一在西泽半导体研究所研发的，其核心技术包括在高阻外延层上实现P+隐埋栅，以及负温度特性和电流分布均匀性，这使得SIT易于大面积应用并支持大功率。例如，200W 60MHz的音响放大器和300W、1KW、...
静电感应晶体管的详细说明
1974年之后，高频和微波功率静电感应晶体管有较大发展。已出现1吉赫下输出功率100瓦的内匹配合成器件和2吉赫下输出 10瓦左右的器件。静电感应型硅可控整流器已做到导通电流30安(压降为0.9伏)，开关时间为110纳秒。另外，已研制出 MOS型SIT和SIT低功耗、高速集成电路，其逻辑门的功率-延迟积的理论值...
