发布网友 发布时间:2024-10-19 08:38
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热心网友 时间:2024-11-04 22:09
对于高纯度硅单晶的生长,悬浮区熔提炼技术是优选方案,但不适用于GaAs的生长。此方法能实现极低的载流子浓度,达到1011cm-1。区熔生长技术的核心在于,熔化区域完全由固体支撑,无需传统的坩埚。生长过程中,高纯多晶材料会被固定在卡盘上,一根金属线圈沿着多晶轴线移动,通过线圈内的高频射频电流产生电磁场。这种电磁场在多晶柱中引发涡流,进而产生大量的焦耳热。通过调整线圈功率,可以精确控制熔化区域,使得线圈移动后,熔化部分会结晶为单晶。另一种局部熔化的手段是使用聚焦电子束,这通常在真空或封闭腔室的保护气氛下进行。
整个区熔生长装置的设计旨在确保过程的精确控制和高纯度晶体的获得,其操作环境对于保证晶体质量至关重要。这种技术的独特性在于它能够实现对晶体生长过程的精细调控,从而得到高质量的硅单晶产品。