半导体制造清洗
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发布时间：2024-10-01 11:13
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时间：2024-11-14 05:55
引言
半导体的电子特性对微量外来物质极为敏感，这是半导体制造电子器件的基础。因此，从电子器件的诞生开始，就需要将不希望的杂质控制在非常低的水平，而材料净化方法对这些器件的成功运行至关重要。清洁领域由于污染经常接近可检测极限的边缘，因此变得复杂，与计量学的进步紧密相关。
长期以来，大块半导体的电子特性，如自由载流子寿命，是污染的主要测量技术。近年来，高金栅堆和替代半导体材料，如SiGe，Ge，甚至III-V化合物半导体已被引入或考虑用于下一代器件。与硅不同的是，许多这些材料倾向于受到“RCA”类水溶液氧化清洁混合物的攻击。因此，必须开发替代品，如溶剂基清洁。
实验
集成电路的制造需要无数的液体基蚀刻和清洗过程，然后是冲洗和干燥步骤。界面现象，如润湿、扩散、吸附、粘附和表面电荷，对决定液体基工艺步骤的可行性和效率起着关键作用。利用平衡常数（Κ和K2）进行质子化反应(Eq。1.1)和脱质子化反应(Eq。1.2)SiOH位点，Si02上的正、负电荷和零电荷即0+、Θ和0g的比例可以计算为溶液pH的函数。使用Κ和K2值分别为1007和10 39的Si02的计算结果如图1所示。
结果和讨论
氮化硅薄膜最常用的方法是使用化学气相沉积（CVD）技术来沉积，其中硅烷（SiH）与氨（氨）发生反应。等离子体增强的CVD（PECVD）形成SiNx，低压的CVD（LPCVD）形成氮化硅。因此，氮化硅薄膜可能含有高达5-6个原子%的氢，特别是那些由PECVD形成的氢。如图2所示，这些薄膜通常具有胺（-氨基）表面基团，根据它们的pKa值，它可以被质子化，从而形成带正电荷的位点。氮化物膜表面的负位点被认为是由表面胺基与水反应形成硅烷醇（Si-OH），然后脱质子化形成带负电荷的SiO位点而产生的。
结论
氮化膜表面的负位点被假定是由表面胺基与水反应形成硅醇（Si-OH），然后脱质子形成带负电荷的SiO位点产生的。氮化物薄膜的等电点可以根据-氨基基团的水解强度而变化很大，而水解强度又取决于溶液的pH值、离子强度和温度。
江苏英思特半导体科技有限公司主要从事湿法制程设备，晶圆清洁设备，RCA清洗机，KOH腐殖清洗机等设备的设计、生产和维护。
