有一带电球壳,内外半径分别为a和b,电荷体密度为
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发布时间：2023-07-16 02:31
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时间：2023-08-01 07:01
应用高斯定理ES＝Σq／ε0。在球壳区域内做一个同心高斯球面，其半径为r。
本例中，高斯球面的面积S＝4πrr，高斯球面内所含电荷总量Σq＝Q＋（上下限分别是r和a）∫dq＝Q＋∫（A／r＇）（4πr＇r＇）dr＇＝Q＋2πA∫（2r＇）dr＇＝Q＋2πA（rr－aa），代入ES＝Σq／ε0整理得：球壳区域内的场强E＝［2πA＋（Q－2πAaa）／（rr）］／（4πε0）。
不难看出：当Q＝2πAaa即A＝Q／（2πaa）时，E＝A／（2ε0）＝Q／（4πε0＊aa）与r无关。
扩展资料
从宏观效果来看，带电体上的电荷可以认为是连续分布的。电荷分布的疏密程度可用电荷密度来量度。体分布的电荷用电荷体密度来量度，面分布和线分布的电荷分别用电荷面密度和电荷线密度来量度。
电荷分布疏密程度的量度电荷分布在物体内部时，单位体积内的电量称为体电荷密度；分布在物体表面时，单位面积上的电量称为面电荷密度；分布在线体上时，单位长度上的电量称为线电荷密度。
固体带电时，电荷分布在表面，固体尖端处面电荷密度最大。流动液体的电荷则混杂在液体之中。粉体带电状况随粉体的分散、悬浮、沉积而随机变化。气体带电是气体中悬浮的粉体状颗粒（如水分，杂质）带电。
参考资料来源：百度百科-电荷密度
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当且仅当A=Q/2πa^2时，球壳内场强E与r无关。高斯球面的面积S＝4πrr，高斯球面内所含电荷总量Σq＝Q＋（上下限分别是r和a）∫dq＝Q＋∫（A／r＇）（4πr＇r＇）dr＇＝Q＋2πA∫（2r＇）dr＇＝Q＋2πA（rr－aa），代入ES＝Σq／ε0整理得：球壳区域内的场强E＝［2πA＋（...
有一带电球壳,内外半径分别为a和b,电荷体密度为
应用高斯定理ES＝Σq／ε0。在球壳区域内做一个同心高斯球面，其半径为r。本例中，高斯球面的面积S＝4πrr，高斯球面内所含电荷总量Σq＝Q＋（上下限分别是r和a）∫dq＝Q＋∫（A／r＇）（4πr＇r＇）dr＇＝Q＋2πA∫（2r＇）dr＇＝Q＋2πA（rr－aa），代入ES＝Σq／ε0整理得：...
1、有一带电球壳,内外半径分别为a和b,电荷体密度为,式中r为球壳内任 ...
如图
有一个均匀带电的球壳,其内外半径分别是A与B,体电荷密度为P,试求从中...
内外半径分别为a,b的无限长均匀带电圆柱形壳层，电荷体密度为p，求壳层区域内任一点m处的场强大小 解：取一个与圆柱体同轴的圆柱形高斯面，半径为r，长度为d。由于是无限长均匀带电圆柱形壳层，通过两底面的电通量为零，所以只分析通过侧面的电通量。1、半径小于b时，E*2π rd=q/ε，q=0，所...
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解：取一个与圆柱体同轴的圆柱形高斯面，半径为r，长度为d。由于是无限长均匀带电圆柱形壳层，通过两底面的电通量为零，所以只分析通过侧面的电通量。1、半径小于b时，E*2π rd=q/ε，q=0，所以E=0. 2、半径大于b时，E*2π rd=q/ε=σ2π rd/ε，所以E=σb/εr。
内外半径分别为a,b的无限长均匀带电圆柱形壳层,电荷体密度为p,求壳...
取一个与圆柱体同轴的圆柱形高斯面，半径为r，长度为d。由于是无限长均匀带电圆柱形壳层，通过两底面的电通量为零，所以只分析通过侧面的电通量。1、半径小于b时，E*2π rd=q/ε，q=0，所以E=0. 2、半径大于b时，E*2π rd=q/ε=σ2π rd/ε，所以E=σb/εr。
有一均匀带电的球壳,其内外半径分别是ab体电荷密度为p,试求从中心到球...
高斯定理
已知内外半径分别为a和b的同心导体球壳,其间电压为U。求此两球壳间的...
回答：电场: 0<r<A:E=kq/r^2 A≤r≤B: E=0 B<r: E=kq/r^2 电势: 0<r<A:U=kq(1/r-1/A+1/B) A≤r≤B:U=kq/B r>B:U=kq/r
...R2均匀带电球壳,电荷体密度为ρ,求球体内外各点的电势分布
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有一均匀带电球壳,内外半径分别是R1,R2,电荷体密度为p,求空间各区域电 ...
但是应该指出，虽然高斯定理中穿过闭合曲面的电通量只与曲面内包围的电荷有关，然而定理中涉及的电场强度却是所有(包括曲面内外)源电荷产生的总电场强度。计算方法：高斯面的计算就是:矢量穿过任意闭合曲面的通量等于矢量的散度对闭合面所包围的体积的积分。公式为:∮EdS=∫▽Edv 。
