内存时序高会怎么样？影响电脑性能吗？

发布网友 发布时间：2022-03-25 09:10

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懂视网 时间：2022-03-25 13:32

内存条时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中，可通过参数手动设置。

　　内存条（Random Access Memory，缩写：RAM）又称随机存取存储器，是与CPU直接交换数据的内部存储器，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。内存条工作时可以随时从任何一个指定的地址写入（存入）或读出（取出）信息。它与ROM的最大区别是数据的易失性，即一旦断电所存储的数据将随之丢失。

　　内存芯片的状态一直沿用到286初期，鉴于它存在着无法拆卸更换的弊病，这对于计算机的发展造成了现实的阻碍。有鉴于此，内存条便应运而生了。将内存芯片焊接到事先设计好的印刷线路板上，而电脑主板上也改用内存插槽。这样就把内存难以安装更换的问题彻底解决了。

热心网友 时间：2022-03-25 10:40

内存时序高说明系统的性能较低，延迟大。

内存时序较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间，通常以纳秒为单位。

内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中，简称为CL值，它是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。目前，一般好一些的内存条，在参数中都会标注CL值。

总的来说，时序是决定内存性能的一个参数，但并不是说时序越低，性能就一定越好，它还与内存容量、频率有关。只能说，在相同容量和频率下的两条内存，时序越低，性能就越好。

扩展资料：

内存时序具体含义：

内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，它们的含义依次为：

1、CL：列寻址所需的时钟周期（表示延迟的长短）

确实是同频率下，CL值越小内存条性能越好。从DDR1-4随着内存条的频率越来越高，CL值也越来越大，但是其真实的CL延迟时间几乎没有什么变化。这说明并不是CL值越大，内存条的CL延迟就越大，内存条就越差。从DDR1-4 CL值越来越大，相反说明CL越大，能上去的频率越高。

2、tRCD：行寻址和列寻址时钟周期的差值。

tRCD值对内存最大频率影响最大。内存条想要上到一个高的频率，而如果不能加大电压和放宽CL值，那么就只能把tRCD值增大。

现在的DDR4一般的1.2V，想要CL值好看，还想要内存条能超频到更高，那就加大tRCD咯，还想要灯光效果，那就把时序统统的加大。所以tRCD大不代表内存条差，相反代表内存条可以超到一个很高的频率。

3、tRP：在下一周期之前，预充电需要的时钟周期。

虽然tRP的影响会随着频繁操作一个bank而加大，但是它的影响也会被bank交叉操作和命令调配所削弱。放宽tRP有利于提高行址激活、关闭的命中率，正确率。放宽tRP可让内存条的兼容性更好。

4、tRAS：对某行的数据进行存储时，从操作开始到寻址结束需要的总时间周期。

此操作并不会频繁发生，只有在内存空闲或开始新一个任务的时候才使用它。tRAS值太小有可能导致数据错误或丢失，太大的值则会影响内存性能。如果内存条负荷较大，一般可以稍微放宽tRAS值。

参考资料来源：百度百科--内存时序

热心网友 时间：2022-03-25 11:58

内存时序高说明系统的性能较低，延迟大，故会对电脑的性能产生一定的影响。

内存定时较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最后一个因素是实际延迟，通常以纳秒为单位。

记忆体计时是描述记忆体模组效能的参数。它通常存储在存储模块的spd中，简称cl值，它是记忆的重要参数之一。一些品牌的内存会在内存模块的标签上打印cl值，目前一般较好的内存模块都会在参数中标注cl值。

一般来说，时序是决定存储器性能的一个参数，但并不意味着时序越低，性能越好。它还与存储容量和频率有关，只能说在相同容量和频率的两个存储器中，定时越低，性能越好。

扩展资料：

内存时序具体含义：

存储器定时是描述存储器模块性能的参数，通常存储在存储器模块的spd中，与通用编号“a-b-c-d”对应的参数是“cl trcd trp tras”，其含义如下：

1、cl：列寻址所需的时钟周期（表示延迟的长度）

的确，在相同的频率下，cl值越小，存储模块的性能越好，随着存储模块频率的增加，ddr1-4的cl值越来越大，但其实际cl延迟时间几乎没有变化。这意味着cl值越大，存储模块的cl延迟越大，存储模块的cl延迟越差，相反ddr1-4的cl值越高，上升频率越高。

2、tRCD：行寻址和列寻址时钟周期的区别

TrCD的值对记忆的最大频率有最大的影响，内存模块想达到高频，但如果不能提高电压，放松cl值，只能增加trcd值。

今天的DDR4一般是1.2V。如果你想让CL看起来很好，如果你想让内存模块被超频到一个更高的水平，那么就增加TRCD，如果你想要灯光效果，那么就增加计时。因此，大的trcd并不意味着坏的存储模块，相反，它意味着存储模块可以超过很高的频率。

3、TRP：下一个周期前预充电所需的时钟周期

虽然trp的影响会随着银行的频繁经营而增加，但其影响也会因银行间的交叉经营和指令供给而减弱。trp的放松有利于提高行地址激活和关闭的命中率和准确性，放宽trp，使内存模块更加兼容。

4、tras：存储一行数据时，从操作开始到寻址结束的总时间段。

此操作不经常发生，仅在内存空闲或新任务开始时使用。tras值太小会导致数据错误或丢失，值太大会影响内存性能，如果内存模块的负载较大，tras的值可以稍微放宽。

参考资料来源：百度百科--内存时序

热心网友 时间：2022-03-25 13:32