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发布时间：2024-07-02 09:46
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时间：2024-08-19 19:07
JFET图区解析
1. 可变电阻区: 当vDS较小，vGS处于VP<vGS≤0的区间，vDS与iD的关系呈线性，沟道电阻基本不变，此时源-漏极间的电阻受vGS控制，称此区域为可变电阻区，常用于压控电阻应用中。
2. 饱和区: 当VP<vGS≤0且vDS≥vGS－VP，N沟道进入饱和区，iD基本恒定，受vGS控制，沟道电阻增加，线性放大时使用。边界线由预夹断点(vDS=vGS-VP)定义，预夹断点随vGS负值增大而下降。
3. 击穿区: 当vDS继续增大，若P+N结反偏电压vGD超过阈值，导致击穿，iD剧增，此时管子无法正常工作，特性曲线进入击穿区。
4. 截止区: 当栅源电压|vGS|足够大，沟道完全被夹断，iD趋近于零，场效应管处于截止状态，位于输出特性曲线的横轴附近，但图XX_01中未详细标注。
最早具有实际结构的场效应晶体管是在N型或者P型半导体基片上制作一对PN结及相应的金属电极，两个PN结之间有导电沟道，通过改变外加PN结的反向偏置电压，以改变PN结耗尽层的厚度，从而达到改变沟道区载流子密度以控制沟道输出电流的目的，因此，这种场效应管也被称为PN结型场效应晶体管，即PN JFET（PN Junction FET），通常也称JFET。
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