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...具有理想边界的的匀强磁场中,磁场的磁感应强度为B。以直径ab为_百度...

发布网友 发布时间:2024-04-27 06:45

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1个回答

热心网友 时间:2024-04-27 21:16

AB

试题分析:交流电动势的最大值为 ,转动过程中通过电流表的示数为有效值 ,平均感应电动势 ,B对。通过负载电阻R的电荷量为 ,C错。
如图所示,有理想边界的匀强磁场方向垂直纸面向外,磁感应强度大小为B...

轨迹半径为r= mv qB = 2kU kB = 1 B 2U k A、如果只增加U,轨迹半径r增大,粒子可以从Pc之间或bc之间某位置穿出磁场,不可能从dP之间某位置穿出磁场.故A错误.B、如果只减小B,轨迹半径r增大,粒子可以从Pc之间或bc之间某位置穿出磁场,粒子在磁场中偏转方...

如图所示有理想边界的两个匀强磁场,磁感应强度均为B=0.5T,两边界间距s...

t在0-5×10-2s内,ab切割磁感线产生感应电动势,相当于电源,由楞次定律判断知感应电流方向沿顺时针方向,则a的电势高于b的电势,Uab为正.则ab两端电势差 Uab=34E=34×BLv=34×0.5×0.2×2V=15×10-2V;t在5×10-2s-10×10-2s内,cd边进入磁场Ⅱ后,cd边和ab都切割磁感线,都产生感...

如图所示,单匝矩形线圈的一半放在具有理想边界的匀强磁场中,线圈轴线OO...

图示时刻,由楞次定律判断出线圈中感应电流方向为:a→d→c→b→a,为负方向.线圈中产生的感应电动势表达式为e=Emsinωt=BSωsinωt,S是线圈面积的一半,则感应电流的表达式为i=-eR=-BSωRsinωt=-Imsinωt,其中Im=BSωR.故线圈中感应电流按正弦规律变化,根据数学知识得知A正确,BCD错误...

如图所示,有理想边界的两个匀强磁场,磁感应强度B=0.5T,两边界间距s=0....

所以U ab =E=0.20Vab边穿出磁场后,只有cd边切割磁感线,由右手定则知,a点的电势高于b的电势, U ab = 1 4 E=0.05V .整个过程中线框a、b两点的电势差U ab 随时间t变化的图线如下图所示: 答:(1)cd边未进入右方磁场时线框所受安培力的大小为0.05N.(2)求...

如图所示为几个有理想边界的磁场区域,相邻区域的磁感应强度大小相等...

D

...的一半放入匀强磁场中,磁感应强度B=1T,让它以边界OO′为轴,以角速 ...

′23×1VU=I?R′=′23×1V≈0.48V?(3)转动30°时,通过AD的电流为?i=eR′+12r=Emsin30°R′+12r=13AAD边受到的安培力为?F安=BiL=115N 答:线框转动过程中产生的最大感应电动势2V;理想电压表V的示数为0.48V;由图示位置转过30°时,线框受到的安培力为115N.

如图所示,空间分布着有理想边界的匀强电场和匀强磁场.左侧匀强电场的场...

解答:解:(1)运动轨迹如右图所示 (2)带电粒子在电场中加速,由动能定理得:qEL=12mυ2带电粒子在磁场中偏转,由牛顿第二定律得:Bqυ=mυ2R由以上两式得:R=1B2mELq(3)带电粒子在两磁场区运动半径相同,如图所示,三段圆弧的圆心组成的三角形△O1O2O3是等边三角形,其边长为2R,...

如图所示,某一空间分布着有理想边界的匀强电场和匀强磁场.左侧区域匀强...

(1)带电粒子在电场中加速过程,由动能定理得:qEL=12mv2,得v=2qELm(2)设粒子在两磁场中做匀速圆周运动的半径分别为r1和r2.由qvB=mv2r得,r1=m2qELqB,r2=m2qEL2qB画出带电粒子的运动轨迹如图.设两轨迹圆心连线与磁场边界成θ角,则由几何知识得 2(r1-r1cosθ)=2r2cosθ又r1...

...所示,空间分布着有理想边界的匀强电场和匀强磁场.匀强磁场分为Ⅰ...

你的意思是复合场中电场力和重力做功之和为0.磁场不做功,所以一定能回到H处。但是只能回到H的等高处,而不一定能回到O点,因为粒子射入复合场和射出复合场的动能虽然相等,但是速度方向不一样,则只能保证能到O点的等高处,不能保证到O点。只解释了你的疑问,没有做题,希望能帮你解答疑惑。

3. 如图所示,匀强磁场有理想边界,现将竖直放置的圆环(O为圆心)无转动...

显然B AB都能形成环形电流 A~B切割长度增加,因此电流增加 C不能形成环形电流

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