电力晶体管GTR发生二次击穿必须同时具备三个条
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发布时间：2022-05-03 09:00
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热心网友
时间：2023-10-17 21:28
高电压，大电流和持续时间
热心网友
时间：2023-10-17 21:28
对于集电极电压超过V(BR)CEO而引起的击穿，只要外电路*击穿后的电流，管子就不会损坏，待集电极电压减小到小于V(BR)CEO后，管子也就恢复到正常工作，因此这种击穿是可逆的，不是破坏性的。如果上述击穿后，电流不加*，就会出现集电极电压迅速减小，集电极电流迅速增大的现象，通常将这种现象称为二次击穿。
产生二次击穿的原因主要是管内结面不均匀、晶格缺陷等。发生二次击穿的过程是：结面某些薄弱点上电流密度增大，引起这些局部点的温度升高，从而使局部点上电流密度更大，温度更高……，如此反复作用，最后导致过热点的晶体熔化，相应在集射极间形成低阻通道，导致vCE下降，iC剧增，结果是功率管尚未发烫就已损坏。因此二次击穿是不可逆的，是破坏性的。可见，二次击穿是在高压低电流时发生的，相应的功率称为二次击穿耐量，用PSB表示
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时间：2023-10-17 21:28
高电压，大电流和持续时间
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时间：2023-10-17 21:28
对于集电极电压超过V(BR)CEO而引起的击穿，只要外电路*击穿后的电流，管子就不会损坏，待集电极电压减小到小于V(BR)CEO后，管子也就恢复到正常工作，因此这种击穿是可逆的，不是破坏性的。如果上述击穿后，电流不加*，就会出现集电极电压迅速减小，集电极电流迅速增大的现象，通常将这种现象称为二次击穿。
产生二次击穿的原因主要是管内结面不均匀、晶格缺陷等。发生二次击穿的过程是：结面某些薄弱点上电流密度增大，引起这些局部点的温度升高，从而使局部点上电流密度更大，温度更高……，如此反复作用，最后导致过热点的晶体熔化，相应在集射极间形成低阻通道，导致vCE下降，iC剧增，结果是功率管尚未发烫就已损坏。因此二次击穿是不可逆的，是破坏性的。可见，二次击穿是在高压低电流时发生的，相应的功率称为二次击穿耐量，用PSB表示
电力晶体管GTR发生二次击穿必须同时具备三个条
高电压，大电流和持续时间
gtr安全工作区哪四条线
最高电压UceM、集电极最大电流IcM、最大耗散功率PcM以及二次击穿临界线。功率晶体管GTR的安全工作区SOA由以下条曲线所限定，最高电压UceM、集电极最大电流IcM、最大耗散功率PcM以及二次击穿临界线。GTR是指Grand、Touring、Racing，赛道化的GT跑车。但我们通常所说的GTR其实是日产GT，R。GT、R是一个传奇...
电力晶体管在使用时,需不需要防止二次击穿?
防止二次击穿的办法是：①应使实际使用的工作电压比反向击穿电压低得多。②必须有电压电流缓冲保护措施。发生二次击穿的原因 产生二次击穿的原因主要是管内结面不均匀、晶格缺陷等。发生二次击穿的过程是：结面某些薄弱点上电流密度增大，引起这些局部点的温度升高，从而使局部点上电流密度更大，温度更高...
GTR电力晶体管(GTR)
在逆变电路中，GTR工作于共发射极模式，其特性曲线描述了集电极电流IC和电压VCE以及基极电流IB的关系。特性分为五个区域，包括截止区、线性放大区、深度饱和区（饱和压降VCES较低）、击穿区和二次击穿区。二次击穿是GTR的主要弱点，它可能导致元件瞬间过热并永久损坏。电力晶体管GTR主要用于功率开关，需要高...
山东省电工技师考试题那位可提供一下?
34. 电力晶体管(GTR)是一种双极型大功率晶体管,过载能力差,容易发生二次击穿( √) 35. 电子设备的元器件输入信号较小,并且一般的放大倍数都比较大,所以不易受外界干扰。(×) 36. 采用均压线的目的主要是协助换向磁极减小电枢反应产生的不利影响。(√) 37. 采用补偿绕组会使直流电动机构造负载,成本增加,...
存在二次击穿现象的器件是
1. 功率晶体管：二次击穿是影响功率晶体管安全可靠使用的重要因素之一。自从1957年Trornton和Simmons发现二次击穿现象以来，它一直是研究和应用中需要特别关注的问题。2. GTR（栅极晶体管）：虽然GTR存在二次击穿现象，但其安全工作区与二次击穿现象无关。GTR的安全工作区就是二次击穿曲线。3. 半导体...
功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为...
二次击穿是指功率晶体管早期失效或突然损坏的重要原因，已成为影响功率晶体管安全可靠使用的重要因素。自从1957年Trornton和Simmons发现二次击穿现象以来，二次击穿一直受到十分关注。当集电极反偏电压逐渐升高到某一数值时，集电极电流急剧增加，晶体管出现击穿现象。
gtr是什么
2、载波频率 由于电力晶体管的开通和关断时间较长，故允许的载波频率较低，大部分变频器的上限载波频率约为1.2～1.5kHz左右。3、电流波形 因为载波频率较低，故电流的高次谐波成分较大。这些高次谐波电流将在硅钢片中形成涡流，并使硅钢片相互间因产生电磁力而振动，并产生噪音。又因为载波频率处于人...
电力电子技术试题GTO GTR MOSFET IGBT四种晶体管的优缺点请尽量稍微的详...
GTR 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低 开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题 GTO 电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强 电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动...
功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为什么?_百 ...
这不是二次击穿吧，具体该把现象称为什么名称我也不知道，不过可以大致的说下原理 这类电路是DC-DC Converty电路，具体种类很多，典型的一类就是斩波电路，这类电路是削去某段波形来截止输入的电压，从而改变输出电压，基本原理是调节PWM信号的占空比来控制导通和关闭.因为能量守恒，PO<PI，所以如果是...
