名词解释: 1.电力晶体管的关断时间?
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发布时间：2022-05-03 09:00
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时间：2023-10-17 21:27
交流固态继电器输出采用单向可控硅反并联、双向可控硅、双场效应管反向串联，单向和双向可控硅是零电流关断，也就是交流电的半个周期，比如50Hz是10ms，场效应管的关断时间和电路形式及器件本身特性有关。直流固态继电器采用场效应管输出、三极管输出，不会有可控硅输出，其关断时间和电路形式及器件本身特性有关。
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时间：2023-10-17 21:28
1；电力晶体管按英文GiantTransistor直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（BipolarJunctionTransistor—BJT），所以有时也称为PowerBJT；其特性有：耐压高，电流大，开关特性好，但驱动电路复杂，驱动功率大2；伺服电机（servomotor）是指在伺服系统中控制机械元件运转的发动机，是一种补助马达间接变速装置。伺服电机可使控制速度，位置精度非常准确，可以将电压信号转化为转矩和转速以驱动控制对象。在自动控制系统中，用作执行元件，把所收到的电信号转换成电动机轴上的角位移或角速度输出。分为直流和交流伺服电动机两大类，其主要特点是，当信号电压为零时无自转现象，转速随着转矩的增加而匀速下降。3；具体内容可以百度一下
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时间：2023-10-17 21:28
电力晶体管的开通和关断时间较长，故允许的载波频率较低，大部分变频器的上限载波频率约为1.2～1.5kHz左右
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时间：2023-10-17 21:27
交流固态继电器输出采用单向可控硅反并联、双向可控硅、双场效应管反向串联，单向和双向可控硅是零电流关断，也就是交流电的半个周期，比如50Hz是10ms，场效应管的关断时间和电路形式及器件本身特性有关。直流固态继电器采用场效应管输出、三极管输出，不会有可控硅输出，其关断时间和电路形式及器件本身特性有关。
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时间：2023-10-17 21:28
1；电力晶体管按英文GiantTransistor直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（BipolarJunctionTransistor—BJT），所以有时也称为PowerBJT；其特性有：耐压高，电流大，开关特性好，但驱动电路复杂，驱动功率大2；伺服电机（servomotor）是指在伺服系统中控制机械元件运转的发动机，是一种补助马达间接变速装置。伺服电机可使控制速度，位置精度非常准确，可以将电压信号转化为转矩和转速以驱动控制对象。在自动控制系统中，用作执行元件，把所收到的电信号转换成电动机轴上的角位移或角速度输出。分为直流和交流伺服电动机两大类，其主要特点是，当信号电压为零时无自转现象，转速随着转矩的增加而匀速下降。3；具体内容可以百度一下
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时间：2023-10-17 21:28
电力晶体管的开通和关断时间较长，故允许的载波频率较低，大部分变频器的上限载波频率约为1.2～1.5kHz左右
名词解释: 1.电力晶体管的关断时间?
交流固态继电器输出采用单向可控硅反并联、双向可控硅、双场效应管反向串联，单向和双向可控硅是零电流关断，也就是交流电的半个周期，比如50Hz是10ms，场效应管的关断时间和电路形式及器件本身特性有关。直流固态继电器采用场效应管输出、三极管输出，不会有可控硅输出，其关断时间和电路形式及器件本身特性有...
电力晶体管电力晶体管特点
电力晶体管的开通和关断时间较长，因此允许的载波频率较低，大部分变频器的上限载波频率约为1.2～1.5kHz左右。载波频率较低导致电流的高次谐波成分较大。这些高次谐波电流在硅钢片中形成涡流，使硅钢片相互间产生电磁力而振动，产生噪音。此外，由于载波频率处于人耳较为敏感的区域，电动机的电磁噪音较...
全控型器件的电力场效应晶体管(Power MOSFET)
关断时间toff——关断延迟时间和下降时间之和MOSFET的开关速度MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系。可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数,加快开关速度。不存在少子储存效应,关断过程非常迅速。开关时间在10~100ns之间,工作频率可达100kHz以上,是主要电力电子器件中最高的。场控器件,静态时几乎不需输入电流。但在开关过程...
电力晶体管导通关断条件
晶体管的导通条件是：两个pn结正偏，晶体管的关断条件是：两个pn结反偏。
在电力电子装置中电力晶体管一般工作在什么状态
在电力电子装置中，电力晶体管一般工作在开关状态。根据查询相关信息显示：电力晶体管在关断时漏电流很小，导通时饱和压降很小。因此，电力晶体管在导通和关断状态下损耗都很小，但在关断和导通的转换过程中，电流和电压都较大，所以开关过程中损耗也较大。当开关频率较高时，开关损耗是总损耗的主要部分。
常见MPP电力管标准规格有哪些?
常见的MPP电力管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）的标准规格包括以下几个方面：1. 最大耐压（VDS）：指电力管能够承受的最大电压，一般以伏特（V）为单位。2. 最大电流（ID）：指电力管能够承受的最大电流，一般以安培（A）为单位。3. 开关频率：...
电力晶体管的电力晶体管电路分析
U、V和W相的开关器件控制方法一致，以U相为例进行说明：在urU大于uc的区间内，给予上桥臂电力晶体管V1导通驱动信号，同时对下桥臂V4施加关断信号，因此U相输出的电压相对于直流电源Ud的中性点N’为uUN’ = Ud/2。而在urU小于uc的区间内，V1收到关断信号，V4则得到导通信号，输出电压uUN’ = -...
gto与mosfet的区别是什么?
电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低 GTR（电力晶体管）耐高压，电流大开关特性好 mosfet（电力场效应晶体管）驱动电路简单，需要驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性高于GTR但是电流容量小 IGBT(绝缘栅双极晶体管)它综合了GTR和mosfet...
电力晶体管的基本特性和主要参数有哪些?
GTR在关断时漏电流很小，导通时饱和压降很小。因此，GTR在导通和关断状态下损耗都很小，但在关断和导通的转换过程中，电流和电压都较大，所以开关过程中损耗也较大。当开关频率较高时，开关损耗是总损耗的主要部分。因此，缩短开通和关断时间对降低损耗、提高效率和提高运行可靠性很有意义。电力晶体管-...
晶体管的开关作用
1. 功率晶体管能够控制高达数百千瓦的功率，其开关作用在现代电力控制中扮演着重要角色。2. 使用功率晶体管作为开关具有多项优势，包括易于关断、所需辅助元件少、开关速度快，以及能在高频率下工作。3. 功率晶体管的耐压范围广泛，从100V到700V不等，满足了不同的应用需求。4. 几年前，晶体管开关的...
