电力晶体管在使用时,需不需要防止二次击穿?
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发布时间:2022-05-03 09:00
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时间:2023-10-17 21:27
虽然说电力晶体管在加入了过流断丝的设计,不过,为了防止出现意外,最好还是要提防一下二次击穿。
防止二次击穿的办法是:①应使实际使用的工作电压比反向击穿电压低得多。②必须有电压电流缓冲保护措施。
发生二次击穿的原因
产生二次击穿的原因主要是管内结面不均匀、晶格缺陷等。发生二次击穿的过程是:结面某些薄弱点上电流密度增大,引起这些局部点的温度升高,从而使局部点上电流密度更大,温度更高……,如此反复作用,最后导致过热点的晶体熔化,相应在集射极间形成低阻通道,导致vCE下降,iC剧增,结果是功率管尚未发烫就已损坏。因此二次击穿是不可逆的,是破坏性的。
二次击穿的产生和大功率晶体管的工作电流、电压、功耗、结温、电流脉宽等有关,但是,从通过的平均电流来看,并没有达到二次击穿的诱发值,可是还往往产生二次击穿,因此人们提出各种解释理论,主要有电流集中理论和雪崩注入理论。
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时间:2023-10-17 21:28
因此二次击穿是不可逆的,是破坏性的。可见,二次击穿是在高压低电流时发生的,相应的功率称为二次击穿耐量,用PSB表示。
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时间:2023-10-17 21:28
使用时,只要电压和电流不超过晶体管的安全工作区,就不需要考虑二次击穿问题。因为晶体管的安全工作区就是由功耗曲线和二次击穿电压、电流的曲线包围而成的,已经考虑到二次击穿的影响了。
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时间:2023-10-17 21:29
二次击穿是影响GTR安全可靠工作的一个重要因素。二次击穿是由于集电极电压升高到一定值(未达到极限值)时,发生雪崩效应造成的。防止二次击穿的办法是:①应使实际使用的工作电压比反向击穿电压低得多。②必须有电压电流缓冲保护措施。
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时间:2023-10-17 21:27
虽然说电力晶体管在加入了过流断丝的设计,不过,为了防止出现意外,最好还是要提防一下二次击穿。
防止二次击穿的办法是:①应使实际使用的工作电压比反向击穿电压低得多。②必须有电压电流缓冲保护措施。
发生二次击穿的原因
产生二次击穿的原因主要是管内结面不均匀、晶格缺陷等。发生二次击穿的过程是:结面某些薄弱点上电流密度增大,引起这些局部点的温度升高,从而使局部点上电流密度更大,温度更高……,如此反复作用,最后导致过热点的晶体熔化,相应在集射极间形成低阻通道,导致vCE下降,iC剧增,结果是功率管尚未发烫就已损坏。因此二次击穿是不可逆的,是破坏性的。
二次击穿的产生和大功率晶体管的工作电流、电压、功耗、结温、电流脉宽等有关,但是,从通过的平均电流来看,并没有达到二次击穿的诱发值,可是还往往产生二次击穿,因此人们提出各种解释理论,主要有电流集中理论和雪崩注入理论。
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时间:2023-10-17 21:28
因此二次击穿是不可逆的,是破坏性的。可见,二次击穿是在高压低电流时发生的,相应的功率称为二次击穿耐量,用PSB表示。
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时间:2023-10-17 21:28
使用时,只要电压和电流不超过晶体管的安全工作区,就不需要考虑二次击穿问题。因为晶体管的安全工作区就是由功耗曲线和二次击穿电压、电流的曲线包围而成的,已经考虑到二次击穿的影响了。
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时间:2023-10-17 21:29
二次击穿是影响GTR安全可靠工作的一个重要因素。二次击穿是由于集电极电压升高到一定值(未达到极限值)时,发生雪崩效应造成的。防止二次击穿的办法是:①应使实际使用的工作电压比反向击穿电压低得多。②必须有电压电流缓冲保护措施。
电力晶体管在使用时,需不需要防止二次击穿?
虽然说电力晶体管在加入了过流断丝的设计,不过,为了防止出现意外,最好还是要提防一下二次击穿。防止二次击穿的办法是:①应使实际使用的工作电压比反向击穿电压低得多。②必须有电压电流缓冲保护措施。发生二次击穿的原因 产生二次击穿的原因主要是管内结面不均匀、晶格缺陷等。发生二次击穿的过程是...
电力晶体管电力晶体管的主要参数
安全工作区由直流极限参数ICM、PCM、UCEM构成,确保电力晶体管在工作时不会发生二次击穿。实际使用时,最高电压通常远低于GTR的极限电压,以提供足够的安全余地。综上所述,电力晶体管的主要参数及二次击穿和安全工作区的概念是确保电力晶体管安全可靠工作的重要考量因素。正确的选择和使用电力晶体管,能够...
存在二次击穿现象的器件是
1. 功率晶体管:二次击穿是影响功率晶体管安全可靠使用的重要因素之一。自从1957年Trornton和Simmons发现二次击穿现象以来,它一直是研究和应用中需要特别关注的问题。2. GTR(栅极晶体管):虽然GTR存在二次击穿现象,但其安全工作区与二次击穿现象无关。GTR的安全工作区就是二次击穿曲线。3. 半导体器...
什么是一次击穿与二次击穿
一次击穿。一次击穿是晶体管的一种持续状态,此时,晶体管集电极对发射极的电压在不同的集电极电源电压情况下是相对恒定的。二次击穿。二次击穿是指晶体管输出阻抗几乎瞬时地从高变低的情况。二次击穿通常在多重扩散、高速器件中更为严重,当晶体管工作于相对高的电压和大的电流时,通过晶体管的横向电流...
二次击穿发生二次击穿的原因
二次击穿现象的起因主要包括管内结面不均匀性和晶格缺陷。在特定条件下,这些薄弱区域的电流密度会逐渐增大,导致局部温度升高,形成恶性循环,最终导致过热点的晶体熔化,形成低阻通道,使vCE下降,iC骤增,晶体管在未明显发热时就遭受破坏,这种损坏是不可逆的。二次击穿的发生与大功率晶体管的工作条件...
电力晶体管GTR发生二次击穿必须同时具备三个条
高电压,大电流和持续时间
静电感应晶体管优点
此外,SIT的可靠性极高,不易出现二次击穿现象,减少了故障发生的可能性。在低温性能上,SIT表现出色,即使在-19℃的严寒环境中也能稳定工作,拓展了其应用范围。最后,与双极晶体管相比,SIT的抗辐照能力高出50倍以上,对于需要抵抗辐射环境的场合,SIT无疑是一个理想的解决方案。
电力晶体管的基本特性和主要参数有哪些?
电力晶体管应造成的。防止二次击穿的办法是:①应使实际使用的工作电压比反向击穿电压低得多。②必须有电压电流缓冲保护措施。图4-11GTR基极驱动电流波形 (2)安全工作区以直电力晶体管流极限参数ICM、PCM、UCEM构成的工作区为一次击穿工作区,以USB(二次击穿电压)与ISB(二次击穿电流)组成的PSB(二次...
目前常用的全控型电力电子器件有哪些
2. GTR(电力晶体管):它是一种高性能的电力电子器件,适用于多种电力系统控制任务。3. MOSFET(电力场效应晶体管):MOSFET以其小驱动功率、优异的高频特性和良好的热效应而受到青睐,没有二次击穿问题,并且能够实现高开关频率,可达2MHz。然而,它适用于低功率应用,目前制造水平为1000V/2A和60V/...
电力晶体管的电力晶体管简介
因此,由它所组成的电路灵活、成熟、开关损耗小、开关时间短,在电源、电机控制、通用逆变器等中等容量、中等频率的电路中应用广泛。GTR的缺点是驱动电流较大、耐浪涌电流能力差、易受二次击穿而损坏。在开关电源和UPS内,GTR正逐步被功率MOSFET和IGBT所代替。它的符号如图1,和普通的NPN晶体管一样。