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为什么沉积氮化硅薄膜时要通氮气

发布网友 发布时间:2022-05-05 04:23

我来回答

1个回答

热心网友 时间:2022-07-01 11:19

不通氮气,“氮化硅”中的“氮”又从何而来呢?^_^



气相沉积法

 化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术,包括大范围的绝缘材料,大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说,它是很简单的:两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内,然后他们相互之间发生化学反应,形成一种新的材料,沉积到晶片表面上。沉积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子,它是由硅烷和氮反应形成的。


气相法

是直接利用气体,或者通过各种手段将物质转变为气体,使之在气体状态下发生物理变化或者化学反应,最后在冷却过程中凝聚长大形成纳米粒子的方法。用该法可制备纯度高、颗粒分散性好、粒径分布窄、粒径小的纳米陶瓷粉体。气相法又可分为气体中蒸发法、化学气相反应法、溅射源法、流动油面上真空沉积法和金属蒸汽合成法。



沉淀法

又分为直接沉淀法、共沉淀法和均匀沉淀法等,都是利用生成沉淀的液相反应来制取。共沉淀法可在制备过程中完成反应及掺杂过程,因此较多地应用于电子陶瓷的制备。BaTiO3是一种重要的电子陶瓷材料,具有高介电常数和优异的铁电和压电性能。用TiCl4,H2O2和BaCl2以共沉淀法制备过氧化钛前驱体,经无水乙醇分散脱水,热分解制备出颗粒直径小于30 nm的BaTi03纳米晶。

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