n型半导体中单位体积中的电子数n等于?
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发布时间：2024-04-12 03:03
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时间：2024-04-27 05:04
要计算n型半导体中单位体积的电子数n（载流子浓度），可以使用霍耳元件的灵敏度公式。
霍耳元件的灵敏度（S）定义为单位电流变化（ΔI）与单位电场变化（ΔE）之比，即S = ΔI / ΔE。
在n型半导体中，载流子为电子，电子的电荷为e（基本电荷）。当电场变化ΔE时，电子受到力F = eΔE，从而产生电流变化ΔI。
根据霍耳元件的灵敏度公式，可以得到 ΔI = SΔE。
单位体积的电子数n可以定义为载流子浓度N乘以电子电荷e，即n = Ne。
将上述公式代入 ΔI = SΔE，得到 Ne = SΔE。
因此，根据霍耳元件的灵敏度计算n型半导体中单位体积的电子数n的公式为：
n = SΔE
其中，S为霍耳元件的灵敏度，ΔE为电场变化。
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