关于掺杂对材料导电特性的影响
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发布时间：2024-04-12 03:03
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时间：2天前
查表可得本征时空穴迁移率μp=500，电子迁移率μn=1500，查得本征载流子浓度ni=1.0×10的十次方，代入电阻率公式可以得到ρ=1/niq(μn+μp）=3.12×10的五次方Ω·cm
查表可得该掺杂条件下电子迁移率μn=1400，多数载流子浓度n=1.0×10的十七次方，代入电阻率公式可以得到ρ=1/nqμn=0.045Ω·cm
可以发现，在掺杂施主杂质后，电阻率减小了很多
关于掺杂对材料导电特性的影响
可以发现，在掺杂施主杂质后，电阻率减小了很多
什么是钯废水吸附材料？
活性炭是一种高孔隙度、高表面积的吸附剂。在吸附过程中，活性炭孔隙表面会吸附住废水中的污染物，并形成稳定的化合物。对于废水中的钯，活性炭具有非常好的吸附性能。当废水流经含有活性炭的处理设备时，钯离子会被活性炭吸附，从而使废水中的...
为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成本征半导体导电性能极差...
导带底的电子浓度远大于价带顶的空穴浓度，所以杂质或掺杂对半导体导电性能起主要作用。杂质电离能越小，杂质能级越靠近导带底，对n型半导体导电性能贡献越大；杂质电离能越大，杂质能级越靠近价带顶，对p型半导体导电性能贡献越...
mo的掺杂有什么优点
例如，掺杂适量的杂质离子可以增加导电性能，使MO材料适用于电动车辆、电池等电子器件。2. 改善物理性质：掺杂MO材料还可以改善其物理特性，如热导率、磁性和光学性质。例如，掺杂稀土元素可以改变MO材料的发光性能，使之成为发...
掺杂对半导体导电性能的影响有那些?
不掺杂的半导体为本征半导体,导电依靠受热激发的产生的激发电子和空穴.而掺杂可以在很大程度上提高半导体的导电性.掺杂可分为N型掺杂和P型掺杂.N型掺杂会增加N(电子)导电.P型掺杂增加空穴导电.PN结就是半导体一部分P型掺杂,...
为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成本征半导体,导电性能极差...
所以很难对半导体特性进行控制，因此实际应用不多。特点 本征半导体特点：电子浓度=空穴浓度（掺杂的半导体，在一定条件下（例如高温下）也可以具有本征半导体特点。）缺点 缺点：载流子少，导电性差，温度稳定性差！
高硼硅玻璃能导电吗?导电特性受什么因素影响
高硼硅玻璃在常温下是一种电绝缘材料，因此它本身不会导电。但是，通过掺杂一定的杂质元素，如铜、银、铁等，可以使高硼硅玻璃具有一定的导电性。导电特性受以下因素影响：化学成分：掺杂适量的导电杂质可以提高高硼硅玻璃的...
为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成本征半导体,导电性能极差...
并释放一些其他的热量。现在你看到另一个关节不是在释放热量，而是在吸收热量。这种现象是可逆的。只要改变电流的方向，就可以调节放热和吸热的操作。电流的强度与吸收和释放的热量以及半导体本身的性质之间存在着正比关系。
掺杂有几种方式,能掺杂什么,对器件性能有什么影响?
常用的掺杂元素有五种：硼、磷、锑、铝和镓，它们的掺杂可使半导体形成P型或N型半导体。掺杂对器件性能的影响因具体情况而异，但通常会改变半导体的导电性、载流子浓度、电导率等重要参数，从而影响半导体器件的电特性。
微加工的掺杂工艺
整体掺杂：掺杂可以在制备硅片原材料时进行，比如，用CZ法制备单晶硅时，就可以在石英炉中加入不同类型和比例的掺杂材料，直接制备出所需要的导电特性和类型的硅片。局部掺杂：在微系统和微电子器件的制造过程中，经常需要对...
介绍下半导体的掺杂问题?
掺杂进入本质半导体（intrinsic semiconductor）的杂质浓度与极性皆会对半导体的导电特性产生很大的影响。而掺杂过的半导体则称为外质半导体（extrinsic semiconductor）。半导体掺杂物 哪种材料适合作为某种半导体材料的掺杂物（dopant...
